砷化镓晶片 GaAs Wafer

我们研发并生产的2-6英半导体级以及半绝缘级高纯度砷化镓晶体和晶片被广泛应用于半导体集成电路以及LED通用照明等领域。

Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


半导体砷化镓规格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

生长方法
逆袭彩票 网址   Growth Method 

逆袭彩票 网址    VGF 

  掺杂类型
逆袭彩票 网址   Dopant 

  P型:锌 
  p-type: Zn 

  N型:硅
  n-type: Si

  晶片形状
逆袭彩票 网址   Wafer Shape 

  圆形(尺寸2、3、4、6英寸)
  Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

  晶向 
逆袭彩票 网址   Surface Orientation * 

逆袭彩票 网址   (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 
    其他晶向要求可根据客户需求加工 

Dopant
掺杂

硅 (N 型)
逆袭彩票 网址 Si (n-type)

锌 (P 型)
逆袭彩票 网址 Zn (p-type)

载流子浓度
逆袭彩票 网址 Carrier Concentration (cm-3)

( 0.8-4) × 1018

逆袭彩票 网址 ( 0.5-5) × 1019

迁移率 
逆袭彩票 网址   Mobility (cm2/V.S.)

( 1-2.5) × 103

50-120

  位错 
  Etch Pitch Density (cm2) 

 100-5000

逆袭彩票 网址 3,000-5,000

直径
Wafer Diameter (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

  厚度 
逆袭彩票 网址   Thickness (µm) 

350±25

625±25

逆袭彩票 网址 625±25

  TTV [P/P] (µm) 

逆袭彩票 网址 ≤ 4

逆袭彩票 网址 ≤ 4

逆袭彩票 网址 ≤ 4

  TTV [P/E] (µm) 

≤ 10

≤ 10

逆袭彩票 网址 ≤ 10

逆袭彩票 网址   WARP (µm) 

逆袭彩票 网址 ≤ 10

≤ 10

逆袭彩票 网址 ≤ 10

逆袭彩票 网址 OF (mm)

17±1

22±1

逆袭彩票 网址 32.5±1

OF / IF (mm)

逆袭彩票 网址 7±1

12±1

逆袭彩票 网址 18±1

逆袭彩票 网址 Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
逆袭彩票 网址 P/P

E/E,
P/E,
逆袭彩票 网址 P/P

*E=Etched, P=Polished(*E=腐蚀, P=抛光)

  **If needed by customer 
      根据客户需要 


半绝缘砷化镓 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

生长方法

  Growth Method 

   VGF 

  掺杂类型

  Dopant 

  SI 型:

SI Type:  Carbon 

  晶片形状

  Wafer Shape 

  圆形(尺寸2、3、4、6英寸)

  Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

  晶向 

  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 

    其他晶向要求可根据客户需求加工 

  电阻率 

  Resistivity  (Ω.cm) 

≥ 1 × 107

≥ 1 × 108

迁移率

Mobility (cm2/V.S)

≥ 5,000

≥ 4,000

  位错 

  Etch Pitch Density (cm2

  1,500-5,000

1,500-5,000

晶片直径

Wafer Diameter (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

  厚度 

  Thickness (µm) 

350±25 

625±25

625±25

675±25 

  TTV [P/P] (µm) 

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

  TTV [P/E] (µm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

  WARP (µm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

OF (mm)

17±1

22±1

32.5±1

NOTCH

OF / IF (mm)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

*E=Etched, P=Polished (*E=腐蚀, P=抛光)

  **If needed by customer 

      根据客户需要 


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